Твердотельный накопитель SSD M.2 2280 1TB Samsung 990 EVO NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, TLC 3D NAND, 7150R/6450W MB/s
22 190 ₽ с НДС
Удалённый склад (Москва) · 100 шт
Цена для юридических лиц, с НДС. Складские позиции по Калининграду — до 24 рабочих часов, заказные — 14 дней с удалённого склада. Счёт, договор и УПД — по ЭДО.
Основное
| Бренд | SAMSUNG |
| Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) | 1100000 |
| Габариты упаковки (ед) ДхШхВ | 0.145x0.1x0.022 м |
| Вес упаковки (ед) | 0.122 кг |
| Объем упаковки (ед) | 0.000319 м3 |
| Ударостойкость при работе | 1500 G |
| Ударостойкость при хранении | 1500 G |
| DRAM буфер | ДА |
| Объем DRAM буфера | 1024 МБ |
| Вес устройства | 9 грамм |
| Ключ M.2 разъема | M |
| Поддержка TRIM | ДА |
| Длина товара | 80.15 мм |
| Ширина товара | 22.15 мм |
| Назначение | для ноутбука, для ПК |
| Структура памяти NAND | 3D |
| Пропускная способность интерфейса | 64 Гбит/с |
| Цвет | черный |
Модель
| Тип жесткого диска | SSD |
| Модель | MZ-V9V1T0BW |
| PartNumber/Артикул Производителя | MZ-V9V1T0BW |
Основные характеристики
| Форм-фактор | M.2 2280 |
| Объем накопителя | 1024 ГБ |
| Интерфейс | PCIe 4.0 x4 |
| Разъем | M.2 |
| Максимальная скорость чтения | 7150 МБ/с |
| Максимальная скорость записи | 6450 МБ/с |
| Время наработки на отказ | 1500000 ч |
| Тип памяти NAND | MLC |
| Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) | 700000 |
| Поддержка NVMe | ДА |
| Ресурс TBW | 400 ТБ |
| Потребляемая мощность | 4.3 Вт |
| Мощность в режиме ожидания | 0.055 Вт |
| Толщина товара | 2.38 мм |