Твердотельные накопители/ Samsung SSD 990, 2000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7250/6450MB/s, IOPs 850 000/1 200 000, TBW 800, DWPD 0.33 (12 мес.)

Твердотельные накопители/ Samsung SSD 990, 2000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7250/6450MB/s, IOPs 850 000/1 200 000, TBW 800, DWPD 0.33 (12 мес.)
Твердотельные накопители/ Samsung SSD 990, 2000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7250/6450MB/s, IOPs 850 000/1 200 000, TBW 800, DWPD 0.33 (12 мес.) — фото 1Твердотельные накопители/ Samsung SSD 990, 2000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7250/6450MB/s, IOPs 850 000/1 200 000, TBW 800, DWPD 0.33 (12 мес.) — фото 2Твердотельные накопители/ Samsung SSD 990, 2000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7250/6450MB/s, IOPs 850 000/1 200 000, TBW 800, DWPD 0.33 (12 мес.) — фото 3Твердотельные накопители/ Samsung SSD 990, 2000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7250/6450MB/s, IOPs 850 000/1 200 000, TBW 800, DWPD 0.33 (12 мес.) — фото 4Твердотельные накопители/ Samsung SSD 990, 2000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7250/6450MB/s, IOPs 850 000/1 200 000, TBW 800, DWPD 0.33 (12 мес.) — фото 5Твердотельные накопители/ Samsung SSD 990, 2000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7250/6450MB/s, IOPs 850 000/1 200 000, TBW 800, DWPD 0.33 (12 мес.) — фото 6Твердотельные накопители/ Samsung SSD 990, 2000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7250/6450MB/s, IOPs 850 000/1 200 000, TBW 800, DWPD 0.33 (12 мес.) — фото 7Твердотельные накопители/ Samsung SSD 990, 2000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7250/6450MB/s, IOPs 850 000/1 200 000, TBW 800, DWPD 0.33 (12 мес.) — фото 8

Samsung · артикул MZ-V9V2T0BW · гарантия 12 мес

38 540 ₽ с НДС

Удалённый склад (Москва) · 6 шт

В спецификацию Запросить КП

Цена для юридических лиц, с НДС. Складские позиции по Калининграду — до 24 рабочих часов, заказные — 14 дней с удалённого склада. Счёт, договор и УПД — по ЭДО.

Основное

Основное
БрендSAMSUNG
Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS)1200000
Габариты упаковки (ед) ДхШхВ0.145x0.101x0.022 м
Вес упаковки (ед)0.122 кг
Объем упаковки (ед)0.00032219 м3
Ударостойкость при работе1500 G
Ударостойкость при хранении1500 G
DRAM буферДА
Объем DRAM буфера2048 МБ
Вес устройства9 грамм
Ключ M.2 разъемаM
Поддержка TRIMДА
Длина товара80.15 мм
Ширина товара22.15 мм
Назначениедля ноутбука, для ПК
Структура памяти NAND3D
Пропускная способность интерфейса64 Гбит/с
Цветчерный

Модель

Модель
Тип жесткого дискаSSD
МодельMZ-V9V2T0BW
PartNumber/Артикул ПроизводителяMZ-V9V2T0BW

Основные характеристики

Основные характеристики
Форм-факторM.2 2280
Объем накопителя2048 ГБ
ИнтерфейсPCIe 4.0 x4
РазъемM.2
Максимальная скорость чтения7250 МБ/с
Максимальная скорость записи6450 МБ/с
Время наработки на отказ1500000 ч
Тип памяти NANDMLC
Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS)850000
Поддержка NVMeДА
Ресурс TBW800 ТБ
Потребляемая мощность4.3 Вт
Мощность в режиме ожидания0.055 Вт
Толщина товара2.38 мм